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英特尔欲建7nm芯片试验工厂


时间:2017-02-06 作者:五五
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 近日,据外媒消息,英特尔业绩电话会议上,宣布2017年将建一座7nm芯片试验工厂,用以探索芯片生产工艺。据其表示,虽然这座工厂产能有限,但是却为未来7nm芯片的生产奠定了基础。

“这条试验生产线是为了搞清楚如何进行芯片的量产。”MercuryResearch首席分析师DeanMcCarron说道,“一旦确定了制作工艺,其他的工厂就会进行复制。”英特尔表示,他们将试图凭借着7nm工艺回到2年生产周期,同时使用更智能的芯片设计。


英特尔介绍,7nm工艺将为芯片带来更大的设计变化,使其变得更小也更节能。英特尔计划使用奇特的III-V材料(比如氮化镓)来进行芯片生产,在提高性能速度的同时实现更长续航。

此外,英特尔还希望利用7nm去缓解他们在14/10nm处理器上遇到的一些挑战。据悉,他们将会在生产中引入极紫外线(EUV)工具,来帮助进行更加精细的功能蚀刻。但在此之前,这项技术的实装已经被延期数次。

英特尔的试验工厂将会测试7nm芯片生产工艺。虽然他们并未提及会在何时开始这种芯片的量产,但至少不会在未来2-3年内。

目前,包括Globalfoundries和三星在内的芯片厂商也开始了在7nm工艺上的探索。Globalfoundries表示,他们将在2018年开始7nm芯片的生产,ARM也发布了7nm芯片的设计工具。但目前我们并不清楚Globalfoundries是否会进行7nm芯片的测试生产,还是直接开始大批量生产。 

关键词:仪器仪表 测试测量 芯片    浏览量:506

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