近日，上海精测半导体向华东晶圆制造大客户交付了光学形貌量测TGTM系列中的TG 300IF设备。
TG 300IF由上海精测半导体光学事业部形貌量测团队历时三年开发完成，为IC和晶圆制造商提供全面的晶圆平坦度、纳米形貌数据，可以用于测量应力诱导的晶圆形状，晶圆形状引起的套刻补偿，晶圆厚度变化以及晶圆正面和背面的形貌。测量数据可用于制造工艺的在线监控，并且可以实现更快速的良率提升、叠加控制以及光刻聚焦窗口控制。
可以说，TG 300IF填补了国内半导体制造领域中硅片形貌测量类设备的空白,增强了国产设备在此领域的自主性。
随着半导体器件尺寸不断缩小，晶圆翘曲、平整度及表面形貌的差异对集成电路制造工艺——特别是对光刻工艺的影响尤为显著，因此晶圆表面量测需求大幅升级。在28nm节点，先进光刻光学系统的焦深将缩小到 ~100nm尺度，更小的焦深对晶圆的平整度及纳米形貌变化的容差要求极为苛刻，晶圆平整度的细微差异会消耗高达 50% 的光刻焦深(DOF)预算，故而必须更严格地控制晶圆平整度与形貌参数。
这款TG 300IF具备纳米级平整度测量精度，可以非接触、非破坏性的方式，一次性测量整个晶圆上数千万个点，快速精确地获得晶圆翘曲、平整度及纳米形貌分布信息，为先进制程的芯片检验提供高标准的量测工具，以助力于芯片制造商直击焦深挑战。
此外，TG 300IF还搭载了上海精测半导体自主开发的硅片形貌及平整度数据分析及管理系统avelinkTM，可通过图形化界面动态展示二维/三维下的硅片形貌及平整度信息；且提供对测量数据的分类编辑管理功能；支持在离线模式下定义新的recipe完成对硅片形貌的批处理再分析；兼具配置Stress模块获得硅片的应力分布；实现灵活配置测试结果的输出类目及输出类型。同时，基于与整机共享的数据库系统，WavelinkTM也可实时更新完成量测的硅片结果，及时输送量测数据。此外，WavelinkTM还提供了MSA（Measure System Analysis）功能，帮助客户对数据进行量化分析，优化生产过程。
特点
■最大可测量硅片 尺寸300mm
■最大可测量硅片 翘曲700μm
■高精度的相移干涉测量 ,横向空间分辨率~60um
■低波像差的光学镜头设计 及微秒级的曝光时间,硅片表面测量分辨率可达~10nm
■硅片上所有位置可一次性全部测量
