（1）屏蔽 > 模型：
屏蔽效能SE(dB)＝反射损耗R(dB)＋吸收损耗A(dB)
高频射频屏蔽的关键是反射，吸收是低频磁场屏蔽的关键机理。
（2）工作频率低于1MHz时，噪声一般由电场或磁场引起，(磁场引起时干扰，一般在几百赫兹以内)，1MHz以上，考虑电磁干扰。单板上的屏蔽实体包括变压器、传感器、放大器、DC/DC模块等。更大的涉及单板间、子架、机架的屏蔽。
（3）静电屏蔽不要求屏蔽体是封闭的，只要求高电导率材料和接地两点。电磁屏蔽不要求接地，但要求感应电流在上有通路，故必须闭合。磁屏蔽要求高磁导率的材料做 封闭的屏蔽体，为了让涡流产生的磁通和干扰产生的磁通相消达到吸收的目的，对材料有厚度的要求。高频情况下，三者可以统一，即用高电导率材料(如铜)封闭并接地。
（4）对低频，高电导率的材料吸收衰减少，对磁场屏蔽效果不好，需采用高磁导率的材料（如镀锌铁）。
（5）磁场屏蔽还取决于厚度、几何形状、孔洞的最大线性尺寸。
