图9. 优化的吸收器时序
图10所示为同步MOSFET在有源钳位吸收器不存在条件下的漏 极电压。电压偏移可能非常严重，达稳态电压的1.5倍，并且 MOSFET有可能进入雪崩条件。
图10. 不存在有源钳位吸收器
图11所示为有源钳位吸收器的有效性。前沿尖峰被完全消除， MOSFET漏极上无振铃。
图11. 存在有源钳位吸收器
图12. 0 A负载条件下的吸收器有效性
绿线：SR漏极，10 V/div
蓝线：钳位FET栅极-源极电压，5 V/div
黄线：负载电流，10 A/div
图13. 20 A负载条件下的吸收器有效性
绿线：SR漏极，10 V/div
蓝线：钳位FET栅极-源极电压，5 V/div
黄线：负载电流，10 A/div
半桥拓扑结构的实验结果
对半桥拓扑结构进行了额外的实验验证，额定输入为48 V，额 定输出为9 V、200 W，开关频率为180 kHz。
图14. 有源钳位吸收器禁用
红线：SR1漏极，5 V/div
蓝线：SR2漏极；5 V/div
绿线：吸收器PWM，5 V/div
图15. 有源钳位吸收器使能
红线：SR1漏极，5 V/div
蓝线：SR2漏极；5 V/div
绿线：吸收器PWM，5 V/div
