某款路由器辐射骚扰测试结果如下图1所示：图1 路由器原始辐射骚扰测试结果从图中可以看出，主要问题如下：（1）200MHz-1GHz的范围每隔10MHz都有一个窄频信号，且多处点超标，源点为CPU到AFE的clock和data。
一、问题描述
某款路由器辐射骚扰测试结果如下图1所示：
图1 路由器原始辐射骚扰测试结果
从图中可以看出，主要问题如下：
1. 200MHz-1GHz的范围每隔10MHz都有一个窄频信号，且多处点超标，源点为CPU到AFE的clock和data线；
2. 200MHz-700MHz的范围内宽带噪声较高，部分区域少于6dB裕量，原点为SLIC部分和DSL部分的地隔离太长，U13（12V转1.2V DC-DC芯片），12V输入靠近电源口处；
3. 125MHz及其倍频较高，375MHz、875MHz等频点超过限值，主要源点5G无线卡和LAN口；
4. 983MHz超标，源点为SLIC处驱动高压MOS的电路；
5. 960MHz超标，源点为HPNA线路内部两个IC的clock线。
二、改进措施
措施1：
在CPU和AFE之间的clock上串33ohm，并10pf到地，10pf电容的地和AFE_PLL_AVDD2P5的地要直接连接在一起（图2），两者之间的Rx（从CPU传输到AFE的信号数据线）上用33ohm电阻（图3）,以上措施可以抑制200MHz到1GHz的每个10MHz就有的频点；
措施2：
在SLIC的地和DSL的地之间加两个接触点（图4），200MHz到700MHz处的噪声可以有3~5dB的下降。电源端口处加100pf电容滤除500MHz附近的噪声（图5），C135处的地与外界的地直接连接，改进300MHz附近的噪声（图5）。
措施3：
LAN口的地和PCB地之间加1nF高压电容（图6），压低125MHz噪声。5G无线卡下面加两个弹片到母板的地（图7），压低875MHz和1GHz噪声。
图7
措施4：
SLIC 的驱动MOS产生高压的脚上并联10pF电容（图8），解决983MHz噪声。
