图5调试后2.55GHz近场辐射结果
接下来针对2.2GHz频点处辐射杂散的裕量不足，可先用N9311X 套件中的低灵敏度磁场环形探针以及来扫描及点测手机的近场杂讯，如图6所示发现该频率以及750MHz的信号最强近场辐射区域集中在PCB的下半部分其中一个电源网络，此电源网络会经过较多高频成分的芯片以及杂讯较多的LED以及按键区域。经过查阅电源和芯片文档得知其开关频率的大约为1.9M，该频率成分的电源噪声会在调制过程中频移到信号频率两侧。然而由于使用较低灵敏度的探头智能确定处板上下半部分都是可能的辐射杂散信号源，却无法定位精确的位置。此时我们需要进一步使用套件中精度更高的磁场环形探头或者垂直向磁场探头来确定最强区域。最终发现在750MHz+/-17MHz在红色框标示区域最强。测试结果请参考图7所示，此处750MHz附近的近场辐射为-83.21dBm，2.25GHz处最大近场辐射为-44.18dBm。
图7 调试前750MHz及2.25GHz近场辐射测试结果
由于2.25GH大约是750MHz的三次谐波，因此我们首先针对750MHz做滤波设计。为了克服这种干扰应该对基带信号加以滤波，阻止高频成分传播和搬移。如图8所示是一种推荐电路，其中电容C1、C2和L2可作为备选，将此电路加在图6黄色框图标示的电源入射端口附近做滤波。
采用此滤波方案后的再进行近场扫描Max Hold的结果可参考图9所示近场辐射结果，此处750MHz附近的近场辐射已经下降到了-92.42dBm，2.25GHz处最大近场辐射下降到了-53.08dBm：
图9 调试后750MHz及2.25GHz近场辐射测试结果
最后我们再进入暗室完成一次全频带范围内的辐射杂散扫描和传导扫描，最终结果请参考图10和图11所示。可以看出辐射杂散结果有明显改善，同时传导辐射也有所改善。
图11 调试后传导辐射测试结果
