图5. 四个SMUs连接到被测样本的四个端子上
Clarius+测试库包括范德堡法和霍尔迁移率测量的测试。在Select视图中，可以使用屏幕右侧Material材料过滤器，在Test Library测试库中找到这些测试，如图6所示。选择测试，然后选择Add添加，可以把这些测试添加到项目树中。这些测试从vdpulib用户程序库中的用户模块创建。
图6. 选择范德堡法电阻率和霍尔系数测试
可以使用范德堡法表面和体积电阻率测试。测试库有两项电阻率测试：vdp-surface-resistivity和vdp-volume-resistivity。vdp-surface-resistivity测试测量和计算电阻率，单位为Ω/square。对vdp-volume-resistivity测试，用户必须输入样本厚度，然后计算出电阻率，单位为Ω-cm。对这两项测试，都强制应用电流，进行8项电压测量。
还可以使用霍尔系数测试。使用四台SMU仪器，强制应用电流，使用正负磁场进行8项电压测量。磁场使用固定磁铁生成，会提示用户颠倒磁场。可以在测试库中找到hall-coefficient测试，添加到项目树中。
为成功地进行电阻率测量，我们必需考虑潜在的错误来源。主要为静电干扰、泄漏电流、光线、温度、载流子注入等。
1、静电干扰
当带电物体放到不带电物体附近时，会发生静电干扰。通常情况下，干扰的影响并不显著，因为电荷在低电阻时会迅速消散。但是，高电阻材料不允许电荷迅速衰退，所以可能会导致测量不稳定。由于DC或DC静电场，可能会产生错误的读数。
2、泄漏电流
对高电阻样本，泄漏电流可能会劣化测量，泄漏电流源于电缆、探头和测试夹具的绝缘电阻，通过使用优质绝缘体、降低湿度、使用保护装置等，可以最大限度地降低泄漏电流。
3、光线
光敏效应产生的电流可能会劣化测量，特别是在高电阻样本上。为防止这种效应，应把样本放在暗舱中。
4、温度
热电电压也可能会影响测量精度，源电流导致的样本变热也可能会产生热电电压，实验室环境中的温度波动也可能会影响测量。由于半导体的温度系数相对较大，所以可能需要使用校正因数，补偿实验室中的温度变化。
5、载流子注入
此外，为防止少数/多数载流子注入影响电阻率测量，两个电压传感端子之间的电压差应保持在100mV以下，理想情况下是25mV，因为热电压kt/q约为26mV。在不影响测量精度的情况下，测试电流应尽可能低。
通过使用四个SMUs和内置测试，可以利用4200A-SCS参数分析仪简便地在半导体材料上实现范德堡法测量。通过使用用户提供的磁铁，还可以确定霍尔迁移率。如果想测试低电阻材料（如导体），可以使用基于Keithley 3765霍尔效应卡的系统，包括2182A纳伏表。
