电子繁荣的时代，电源技术将是永远的支柱。电源技术追求高效率、高可靠性的目标从未改变。随着新一代半导体材料的逐步成熟，新应用场景的登场，电源行业也在接受技术的变革和洗礼。
面向未来，电源技术继续追求着功率密度的增加、整流技术的提升和分布式电源结构的优化，与此同时，也更关心电源的数字化和智能化、设计工具的人性化，以及如何适应快速多变的市场环境。本文盘点各主流厂商的前沿产品，以供各方未来设计与研发参考。
GaN技术的研发与应用前沿
GaN技术在2018年取得很大的进展，很多应用场景都开始出现GaN器件。作为最早研究GaN技术的厂商，英飞凌推出了600V GaN HEMT产品线——CoolGaN。该器件架构建立在低成本的硅基材料上，采用了横向架构，很容易构建半桥模块、全桥模块；另外，在本征Al GaN层的顶部使用p掺杂的Al GaN门极。该器件具有非常极低的栅极电荷和输出电荷，线性的电容特性和源到漏电压，易于进行ZVS拓扑设计；同时，也没有本征体二极管架构和相关的储备恢复问题。CoolGaN的增强模式概念提供快速的开启和关闭速度，以及在芯片或封装级别上的更佳集成路径，可实现更简单且更具成本效益的半桥拓扑。增强模式更适合多芯片集成。
600V CoolGaN系列是根据特定的基于GaN量身定制的规范工艺基础上实现的， 该工艺远远超过硅功率器件的标准。600V CoolGaN适用于电信、 数据通信、 服务器SMPS以及大多数其他工业和消费类应用。CoolGaN产品系列采用高性能SMD封装，以充分发挥GaN的优势。英飞凌还专门为CoolGaN配备了驱动器——1EDi-G1 EiceDriver系列，其具有独立于占空比的开关特性，两个关断电压，即使对于第一个脉冲，也可使用负栅极驱动电压。
无线充电：当前市场的最大热点
无线充电有Qi和PMA两个标准。其中Qi标准由于得到了苹果等公司的支持，已经成为主流标准。意法半导体（ST）的一系列TX端产品也支持Qi协议，功率范围是2～15w。其中，以支持EPP规范的15W发射端控制器STWBC-EP为代表，该控制器的待机功耗仅16mW，端到端的效率能够达到80%。此外，位置检测、FOD、Q因数测量的功能也一应俱全。该产品集成有一个DC/DC升压转换器和控制器，还有Qi充电算法固件，开发者无需在设计中集成软件和使用额外微控制器，即可完成方案设计。STWBC-EP的架构让设计人员能够灵活地优化外部半桥及相关栅极驱动器，支持5~12V的电源电压，确保兼容USB快充。这款芯片还采用ST的独有技术，给用户更好使用体验。这些独有技术包括可以提升主动存在检测性能的ST专利技术，当一个兼容设备放在充电区时，这项技术可以快速唤醒系统。此项专利技术还能提升异物检测(FOD)性能，当含有金属的物体距充电器过近时，这项检测功能可以自动切断电源，防止过热现象发生。
Flex：板载电源的新技术
