六角形SiGe合金的发射非常有效，适合开始生产全硅激光器。但直到现在，还不能使它们发光。Bakkers团队正在通过减少杂质和晶体缺陷的数量，设法提高了六角硅锗外壳的质量，当用激光激发纳米线时，他们可以测量新材料的效率。
图源：埃因霍温科技大学
AlainDijkstra是第一作者，也是负责测量光发射的研究人员，他说：“我们的实验表明，这种材料结构正确，没有缺陷，它能非常有效地发光。”
Bakkers说： “到目前为止，我们已经实现了几乎可以与磷化铟和砷化镓相媲美的光学性能，并且材料的质量正在急剧提高。如果运行平稳，我们可以在2020年制造出硅基激光器。这将使光学功能与主流电子平台紧密集成，这将打破片上光通信和基于光谱学的价格合理的化学传感器的开放前景。”
如此一来，成功研发出硅激光器，也只是时间问题。
关键词:硅激光器 光子芯片 光子通信 浏览量：937
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