目前微波半导体芯片在设计、生产、检验和应用等环节需要使用在片（On-wafer）测试设备，但目前各研究机构、单位或公司主要使用国外微波测试产品。而中电科思仪科技股份有限公司生产的的3672系列矢量网络分析仪可直接应用于On-wafer测试。配合手动探针台，或半自动探针台的手动模式，即可满足部分芯片的On-wafer测试需求，可用于芯片设计测试、芯片高低温老练等场景。
本文设计了On-wafer测试试验，搭建基于3672系列矢量网络分析仪的测试系统，通过对8寸晶圆的某被测件测试，介绍片上校准、片上测试的基本步骤。
1.系统组成
1.1 测试系统
测试系统组成如图1所示，此系统的主要组成为：
（1）矢量网络分析仪。型号3672D，频段10MHz~50GHz；
（2）探针台。型号：CASCADE 12652B-6；
（3）GSG探针。型号：CASCADE I67-A-GSG-150，间距150μm，2个；
（4）校准件。型号：CASCADE 101-190C，如图2所示。
1.2被测晶圆
被测晶圆为8寸晶圆，无源元器件，关注的频率范围是100MHz-20GHz，晶圆如图3所示。
图1 在片测试系统构成
图2 校准件
图3 被测晶圆
2 测试流程
2.1 矢量网络分析仪设置
（1）开启矢量网络分析仪预热充分；
（2）根据测试要求及预测试分析，矢量网络分析仪的设定值及设置方法如表1所示。
表1 矢量网络分析仪测试设置及方法
2.2 系统校准
（1）定位及显示校准片
开启探针台，按如图4所示的步骤依次操作定位校准片位置。
图4 定位、显示校准件步骤
（2）显示及校准探针
探针支架结构如图5所示，包含四个可调旋钮控制探针的X、Y、Z和ρ方向，ρ是探针绕Y轴的翻滚角，可调整探针姿态。移动探针并在显微镜中观察直至出现探针的模糊影像；任选一校准件扎下探针，观察扎痕深浅情况，若扎痕深浅不一致（如图6所示）需要调整ρ直至深浅一致（如图7所示）。
图5 探针支架结构
图6 扎痕深浅不一致需调整
图7 扎痕深浅一致
（3）校准设置
矢量网络分析仪中选择【校准】→[校准…]→[非向导校准]，根据校准件和被测件，本次校准采用全双端口SOLT校准。进入校准界面如图8所示，点击[选择校准件]，在弹出窗口中选择已编辑好的校准件“I67_GSG_150_2”；
图8 矢量网络分析仪校准界面
（4）校准
