一、测试需求
随着智能电网、汽车电气化等应用领域的发展，功率半导体器件逐渐往高压、高频方向发展，功率分立器件的演进路径基本为二极管→晶闸管→MOSFET→IGBT，其中，IGBT是功率半导体新一代中的典型产品。
在半导体功率器件行业突飞猛进的同时，对应的测试行业也得到了飞速的发展。这对于设计工程师来说却带来了非常大的测试挑战,如何保证选用的高速功率器件能稳定可靠的运行在自己的电源产品中,我们需要了解功率器件的动态特性：
二、测试平台搭建
泰克推出了IGBT Town功率器件支持单脉冲,双脉冲及多脉冲测试方案,集成强大的发生装置数据测试装置及软件。用户可以自定义测试条件,测试项目包含:
系统测试图
三、测试说明
采用双脉冲法,用信号发生器设置脉宽为1uS,周期为2.5uS,脉冲次数为2次,示波器采用单次触发。
采用MSO58功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN TM的动态参数。左下的测试提示Ic off是因为英飞凌的CoolGaN“完全没有反向恢复电流,从测试数据中可以看到基于英飞凌的CoolGaN TM专用驱动1EDF5673K下的CoolGaN TM IGO60R070D1速度还是非常快的。
四、方案配置
推荐解决方案：
泰克示波器MS054+ 5-wins +5-PWR+ TIVM02+TIVH08 +TCP0030A+IGBT town软件
五、方案优势
可靠、可重复地测试IGBT及MOSFET (包括第三代半导体器件SiC、GaN )功率半导体动态特征。
测量的特征包括开启、关闭、开关切换、反向恢复、栅极驱动,开关损耗等参数。
适用于用户对测试环境的自定义。
全部使用泰克示波器及原厂电源探头,可准确补偿探头的延迟,专用的开关损耗算法,提供可靠的测试结果。
独特的ISOvU探头,最高800MHz带宽高达120dB共模抑制比,准确测试驱动信号的真实情况。
