泰克先进半导体实验室：量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试

根据计算，Vbus等于400V时，动态导通电阻约为93mΩ；Vbus等于600V时，动态导通电阻约为95m欧姆；Vbus等于800V时，动态导通电阻约为101mΩ。相比在静态条件下测试得到的导通电阻74mΩ，开关条件下随Vbus电压上升，器件的动态导通电阻退化非常有限，且阻值非常接近静态导通电阻测试结果。

过去几年里，行业对于GaN功率器件是否能够突破小众应用场景一直保持疑虑。1000V以上应用市场仍然属于硅基IGBT和SiC功率器件。GaN大规模应用意味着它必须支持更宽泛的电压电流范围，更多的应用场景，以及更好的性价比。量芯微通过不懈努力，使平面结构GaN器件实现1200V高压工作，其高压GaN在开关和静态特性上已经可以媲美相同规格的SiC器件。这将为GaN功率器件进一步拓展了新能源，电动汽车，电力电子等行业的应用场景，打开了新的可能性。