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用变址寻址原理突破EEPROM存储器的擦写寿命极限


  来源: 仪器仪表商情网 时间:2015-11-23 作者:Stanford
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1. EEPROM单元坏与不坏界线很是模糊. EEPROM单元能写入信息是因为它的浮栅能俘获电子并将其困在其中但随着时间的推移电子由于热运动或外界给予能量会逐渐逃逸所以说EEPROM保持信息是有一定年限的(比如100). 写入与擦除信息即是向浮栅注入和释放电子,电子能量比较高,可能改变周围的晶格结构,导致浮栅俘获电子能力的下降,也就是表现为保存信息的时间变短所以才会有一个保守的写入次数限制(这里说保守是因为半导体的离散性大,实际的次数大得多). 到了规定写入次数并不是说该单元就坏了而是说该单元保持信息的时间已不可信赖(而实际上它可能还能保存相当长时间甚至几十上百年),所以实际上短时间很难判定某个单元是否可用(坏了). 如匠人的方法检测写入时测试好好的可能几秒钟之后该单元的数就逃了.

2. 写坏一个单元是很费时间的, "这个方法,小匠使用过多次,证明是可行的。不知匠人在使用过程中是否碰到过有写坏的情况。





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