当前位置: 首页 » 技术方案 » 前沿科技 » 正文

用变址寻址原理突破EEPROM存储器的擦写寿命极限


  来源: 仪器仪表商情网 时间:2015-11-23 作者:Stanford
分享到:



1. EEPROM单元坏与不坏界线很是模糊. EEPROM单元能写入信息是因为它的浮栅能俘获电子并将其困在其中但随着时间的推移电子由于热运动或外界给予能量会逐渐逃逸所以说EEPROM保持信息是有一定年限的(比如100). 写入与擦除信息即是向浮栅注入和释放电子,电子能量比较高,可能改变周围的晶格结构,导致浮栅俘获电子能力的下降,也就是表现为保存信息的时间变短所以才会有一个保守的写入次数限制(这里说保守是因为半导体的离散性大,实际的次数大得多). 到了规定写入次数并不是说该单元就坏了而是说该单元保持信息的时间已不可信赖(而实际上它可能还能保存相当长时间甚至几十上百年),所以实际上短时间很难判定某个单元是否可用(坏了). 如匠人的方法检测写入时测试好好的可能几秒钟之后该单元的数就逃了.

2. 写坏一个单元是很费时间的, "这个方法,小匠使用过多次,证明是可行的。不知匠人在使用过程中是否碰到过有写坏的情况。





关键词:    浏览量:672

声明:凡本网注明"来源:仪商网"的所有作品,版权均属于仪商网,未经本网授权不得转载、摘编使用。
经本网授权使用,并注明"来源:仪商网"。违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。
本网转载并注明自其它来源的作品,归原版权所有人所有。目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如有作品的内容、版权以及其它问题的,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
本网转载自其它媒体或授权刊载,如有作品内容、版权以及其它问题的,请联系我们。相关合作、投稿、转载授权等事宜,请联系本网。
QQ:2268148259、3050252122。


让制造业不缺测试测量工程师

最新发布
行业动态
技术方案
国际资讯
仪商专题
按分类浏览
Copyright © 2023- 861718.com All rights reserved 版权所有 ©广州德禄讯信息科技有限公司
本站转载或引用文章涉及版权问题请与我们联系。电话:020-34224268 传真: 020-34113782

粤公网安备 44010502000033号

粤ICP备16022018号-4