密度。高滨老师表示，终极目标是希望能与 M3D 高密度存储器拼密度，但这很难做到。清华大学现在在尝试用HBM的方式，把多片忆阻器堆叠起来。这就需要把片内忆阻器的尺寸尽量做小。其中面临的挑战就是忆阻器和晶体管的匹配问题，需要两者的共同优化，本质还是工艺。
高滨老师满怀期望的分享到：“未来，忆阻器还有可能会应用到高速存储，用忆阻器去研究忆阻器，就像用人去研究生物。这将是更高阶的智能。这个方向，我觉得在学术界，还是非常值得去探索的。但是短期落地还是有困难的。因为现在想做大规模的，无论是在工艺上，还是在算法上，都还存在很多挑战。不过，由高校牵头去探索，确实是一个非常好的方向。”
存算器件的发展与测试需求
类脑计算的研究，本身需要用到动力学特性，希望能看到电阻随时间怎么变。同时，希望有很多电阻状态，并且能监控每一个电阻状态的情况。其中，静态情况的保持，需要关注绝对的电阻数值；动态的，涉及到读和写的切换，速度越快越好。几纳秒的时钟内完成切换。
器件的测试结果，其实是没办法直接转换到芯片里面去做。在器件状态就得去做芯片方面的模拟测试。在静态测试转向动态测试，对于微安级的电流，需要有纳秒级别的写入或者读出，跟调控阻态的时候希望能有更精准的写和读，是相近的需求。
高滨老师表示，他们现在想做模仿类脑的神经形态器件，其实也是受限于设备。他分享说：“我们看到，近几年有一些这方面的研究，但是速度基本也都是在毫秒，也有可能是因为大脑就是毫秒，所以我们也就是做到毫秒。但如果能做到比大脑快，那肯定更好。”
现在超级神经元在毫秒量级，会有一个动力学的响应，器件可以做的很快，能做到纳秒量级的响应，是比生物量级快的一个超级大脑。我们相信，随着技术的不断进步和应用的不断拓展，存算一体技术将在更多领域发挥重要作用。
高滨
清华大学集成电路学院 副教授，博士生导师
高滨，现为清华大学集成电路学院长聘副教授。2008年本科毕业于北京大学物理学院，获得物理学学士学位；2013年博士毕业于北京大学信息科学技术学院微电子系，获得微电子学与固体电子学专业博士学位；读博期间曾赴新加坡南洋理工大学和美国斯坦福大学交流访问。2013年至2015年在北京大学信息科学技术学院做博士后，2015年加入清华大学微纳电子系，2017年晋升准聘副教授，2022年成为清华大学集成电路学院长聘副教授。
现主要从事先进存储器和存算一体芯片研究，在Science、Nature、Nature Electronics、Nature Nanotechnology、Nature Machine Intelligence等期刊发表论文200余篇，在微电子三大顶级会议（IEDM、VLSI和ISSCC）发表论文50余篇，总引用超过15000次。申请专利300余项。担任了IEDM、IRPS、EDTM、ICTA的sub-committee chair，DAC、IMW、IPFA的TPC member，在重要国际学术会议做特邀报告20余次。2020年获得国家青年人才项目支持，2024年获得国家高层次人才项目支持。获得中国电子学会自然科学一等奖、教育部自然科学二等奖、中国产学研合作创新成果奖、中国科协中国十大新锐科技人物、清华大学年度教学优秀奖和优秀博士学位论文指导教师等奖励。
