随着5G通信的发展，5G基站、载波聚合、Sub-6GHz以及毫米波频段的发展和成熟，将大幅度拉动功率放大器（PA）、滤波器、低噪声放大器（LNA）、开关、天线等中高频器件的市场需求。
所谓中高频器件，也就是应用于5G中频（Sub-6GHz）和高频（毫米波mmWave）频段的射频器件，包含功率放大器（PA）、滤波器、天线、低噪声放大器（LNA）、射频开关、射频收发器等器件。
“当前国内芯片行业发展迅速，我国5G产业发展已走在世界前列，但在整体产业链布局方面，我国企业主要处于产业链的中下游。在产业链上游，尤其是中高频芯片和器件等核心环节，技术和产业发展水平远远落后于国外。尤其是射频芯片、模组仍严重依赖进口，射频前端市场被Qorvo、Skyworks、博通等企业垄断。”广东省未来通信高端器件创新中心首席架构师樊永辉表示。
从上图可以看到，通信射频前端市场规模不断扩大，发展趋势良好，但此类器件技术和市场目前被国外大厂掌控和垄断。中高频核心器件是实现5G通信网络的核心与关键之一，面对我国5G产业发展的制约瓶颈，实现国产射频器件技术与市场的突破成为5G时代下的重要任务和目标。
据工信部调研数据显示，滤波器和天线具有国产化供应链基本能力，但功率放大器供应链弱小，中高频核心器件是我国5G领域主要短板。
因此，面对“关键核心技术缺失”、“产业上下游协同不足”的行业现状以及“sub-6G中材料和工艺不足”、“毫米波领域设计能力分散、制造产能稀缺”的技术现状，紧扣5G中高频核心器件设计、制造、测试和应用等各环节关键技术，以器件设计为核心，垂直应用为引擎，整合产业链优势资源，弥补通信产业链缺失环节，实现中高频核心器件前沿和共性技术研发供给、转移扩散和首次商用化等众多举措成为我国争夺未来通信技术国际制高点提供有力支撑，也为打破国外技术壁垒提供了新的可能和机遇。
此外，对于中高频器件未来的发展与技术路线，樊永辉总结道，以SiC为衬底的GaN的功率放大器将是宏基站的主要技术。
Si基GaN功率放大器有望被应用于微小基站以及高频段的手机中，取决于8寸硅工艺能力以满足大规模市场需求及降低成本；基站滤波器的主要技术仍将是陶瓷介质滤波器；在手机中，在sub-6G频率范围内将以FBAR为主，在更高的频率，需要开发基于电磁波的滤波器技术；5G时代，中高频器件总的趋势是小型化、模块化、更高的频率与集成化。
