日前，三星在2024年三星代工论坛上公布了其芯片制造工艺技术的最新路线图，涉及的重点包括2纳米/1.4纳米工艺，以及将在未来三年内向客户提供具有背面供电技术的路线图。
其中，SF2节点（以前称为SF3P）预计会在2025年推出，主要针对高性能计算和智能手机应用而设计。与3nm工艺（SF3）相比，三星的2nm工艺性能提升12%，功率效率提升25%，面积减少5%。
2026年，三星计划推出SF2P，这是SF2的性能增强版本，其特点是速度更快但密度更低；2027年，三星将发布SF2Z，该产品将采用背面供电技术(BSPDN)，从而提高性能并增加晶体管密度。此外，这一改进还旨在提高电源质量和管理压降(IR Drop)，以应对先进芯片生产过程中的关键挑战。
三星SF1.4节点（1.4纳米）计划，标志着三星将有望在2027年进入1.4 纳米级别赛道。与SF2Z不同的是，SF1.4将不包括背面电源传输，这使三星有别于英特尔和台积电，后者将在其2nm级和1.6nm级节点上引入背面供电技术。
