Intel 3工艺节点带来的一些重大优势包括更密集的设计库、更大的晶体管驱动电流和更多EUV的使用。该节点还有三种变体，包括3-T、3-E 和 3-PT。前两种变体与Intel 4相比，每瓦性能提升了18%，而PT则带来了额外的性能并且易于使用。所有四种节点变体都支持240nm高性能和210nm高密度库。其中，“T”代表硅通孔 (TSV)，这是一种垂直方向的电气连接，可实现芯片元件之间或堆叠芯片之间的高速互连。
在英特尔看来，Intel 3将在未来至少十年内长期支持代工厂客户，从而为汽车和物联网等需要更长生命周期的应用打开大门。Intel 3的生产爬坡不仅仅是一项制造成就，它代表了英特尔代工厂的一个重要里程碑和证明点。
值得一提的是，Intel 3节点是英特尔路线图上的最后一代FinFET节点，因为从下一代开始，英特尔就开始推出了其GAA晶体管RibbonFET。
在5月的财报电话会议上，Intel CEO帕特·基辛格(Pat Gelsinger)指出，公司的第一代GAA RibbonFET工艺，即intel 20A，有望在今年推出；后续产品是intel 18A，预计将于2025年上半年投入生产，并逐步推进至2027年的Intel 10A节点。
英特尔两大利器分别是RibbonFET和PowerVia技术：RibbonFET是英特尔对GAA晶体管的实现，它将成为英特尔自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构；PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。
在英特尔的规划中，还将率先采用ASML最新的High-NA EUV光刻机，这也是与竞争对手不同的点。英特尔表示，新工具能够大幅提高下一代处理器的分辨率和功能扩展能力，使英特尔代工厂能够在英特尔18A之后继续保持工艺领先地位。
与此同时，英特尔也在持续加大力度，今年2月公布了Intel 14A制程，采用了High-NA EUV技术，预计最快于2026年量产。而最新的14A-E版本则在14A基础上进一步提升了能耗效率。
