在最上游的材料环节，在迁移率、带隙宽度等方面具有更优能力的新材料正在进入产业界的视野。宽禁带半导体产业化进程提速，Wolfspeed全球首条8英寸碳化硅晶圆生产线于4月启动试产，将进一步提升碳化硅的产量并降低成本。
“可以看到，业界广泛讨论的第二、三、四代半导体，也就是GaAs、GaN、SiC、Ga2O3等材料具有宽禁带、高导热率、高抗辐射等优势，在高速、高频、大功率等应用场景相较硅具有显著优势，在5G、新能源市场逐步普及。石墨烯、碳纳米管等碳基器件理论上可以较好适配柔性电子领域应用。”彭虎说。
而“一机难求”的设备产业，也在随着工艺制程的进步提升系统性能。今年6月，台积电研发资深副总经理米玉杰在台积电硅谷技术研讨会上表示，公司将在2024年引进ASML高数值孔径极紫外光光刻机，更高数值的孔径意味着更小的光线入射角度，能够用来制造尺寸更小、速度更快的芯片。
景璀表示，未来半导体设备技术发展将聚焦于三个主要趋势：一是功能模块和工艺集成化，设备各模组功能进行模块标准化，尽可能实现工艺输出的稳定性和一致性，相关联或相近工艺尽量整合在同一系统，有效提高整个系统的输出效率；二是控制精细化，先进工艺节点越低对关键参数的控制要求越精细；三是系统智能化，设备系统集成智能算法，根据工艺输出可自动对关键参数进行修正调节。
