张欣：如果要做FeFET测试和表征的话，需要有哪些量测方法？
唐老师：FeFET器件很多不同的角度的测试，包括像转移曲线Id-Vg、读写速度、耐久性和保持性的测试，以及还需要在阵列的读写功能和串扰问题等方面的一些测试。
转移曲线（Id-Vg）测试是测量器件在不同栅极电压下的电流-电压特性，以评估其开关特性、阈值电压和存储能力。读写速度测试，用来评估FeFET在实际工作条件下的响应速度。耐久性测试通过反复进行编程和擦写操作，评估器件的长期稳定性和可靠性。保持性测试测量器件在无偏压条件下保持存储状态的能力。阵列读写和串扰测试，用于评估在集成的阵列中，器件之间的相互影响和串扰问题。
张欣：在FeFET的电学表征和测量方面，您有哪些经验和建议？
唐老师：我们需要精确测量FeFET在快速操作下的电流和电荷，这要求测试设备具备高速度和高精度。我们通常使用AWG、半导体参数分析仪和高带宽示波器来进行这些测试。
主要涉及四类产品。第一类是任意波形发生器（AWG），用于产生各种测试信号，特别是高速脉冲，用于测量极化翻转速度等动力学特性；第二类是半导体参数分析仪，如4200A-SCS，用于测量FeFET的基本电学特性，例如Ig-Vd，并搭载源测量单元（SMU）或脉冲测量单元（PMU）进行读和写操作，多用于可靠性和保持性的测试；另外，测量非常高速的信号还要用到高带宽示波器，尤其是当需要表征铁电材料的动态行为，如亚纳秒级别的快速响应时；除了这三项关键设备，在进行阵列测试中还需要使用到矩阵开关，以便能够快速选择并测试阵列中的单个器件，而不需要手动逐一连接。
总结来说，FeFET的测试和表征需要一系列精密的设备和细致的测试方法，以确保能够全面评估其电学性能和可靠性。随着技术的发展和阵列规模的增大，测试过程的自动化将变得越来越重要。
未来商业化仍充满挑战
张欣：那像铁电FeFET目前还是在实验室处于科研的阶段。未来商业化量产可能会在什么样的时间节点？
唐老师：预测FeFET的商业化时间表存在难度，因为前沿技术和产业发展的不确定性较高。比较近期最有可能实现商业化应用的应该是嵌入式非易失性存储器（eNVM），尽管现阶段市场相对较小，竞争也比较激烈，但长久来看仍可为高性能存储和新型计算架构提供有力的发展平台。这类应用比较有希望在5年内实现。除此之外，在相对更加主流的存储器市场，FeFET还比较有希望应用于NAND型高密度存储器。铁电材料的引入可以在三维NAND Flash基础上，实现存储密度和读写速度的进一步提升。当然现阶段NAND型的FeFET仍面临诸多技术挑战，包括缩小尺寸后的存储窗口、耐久性、保持性、一致性等，以及阵列中的串扰问题。对于这一领域，可能需要5到10年的时间实现大规模商业化生产。
