考虑到STT-MRAM采用了大量的新材料、新结构、新工艺,加工制备难度极大,现阶段其基本原理还不够完善,发明专利分散在各研究机构、公司中,专利封锁还未完全形成,正是国内发展该项技术的最好时机。在北京市科委的大力支持下,北京航空航天大学与中科院微电子所的联合研发团队经过科研攻关,在STT-MRAM关键工艺技术研究上实现了重要突破,在国内率先成功制备出直径为80纳米的“万能存储器”核心器件,器件性能良好,相关关键参数达到国际领先水平。该技术有望应用于大型数据中心,用于降低功耗,还可用于各类移动设备,提高待机时间。