研究目标：开发太赫兹倍频器，突破太赫兹倍频电路设计与精密制造技术，采用国产倍频芯片，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品，实现在太赫兹信号发生器、太赫兹矢量网络分析仪、太赫兹安全检测仪、太赫兹成像仪等仪器中的应用。
考核指标：3倍频输出频率范围0.325THz~0.5THz，最大输出功率≥-10dBm，倍频损耗≤20dB;4倍频输出频率范围0.5THz~0.75THz，最大输出功率≥-20dBm，倍频损耗≤25dB;4倍频输出频率范围0.75THz~1.1THz，最大输出功率≥-30dBm，倍频损耗≤30dB;平均故障间隔时间≥5000小时。
1.4 通用高精度匀场超导磁体
研究目标：开发通用高精度匀场超导磁体，突破大口径超导强磁体加工和高精度匀场设计等关键技术，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品，实现在量子振荡检测仪、核磁谱仪、磁致冷和强磁场材料处理装置等仪器中的应用。
考核指标：磁场强度≥18T，孔径≥60mm，磁场相对不均匀度≤10-4@直径10mm内;磁场不稳定度≤10-5/h;平均故障间隔时间≥5000小时。
1.5 双曲面线性离子阱
研究内容：开发双曲面线性离子阱，突破双曲线形电极加工和四电极高精度平行绝缘装配等关键技术，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品，实现在离子阱质谱仪、大型离子反应仪等仪器中的应用。
考核指标：电极长度≥100mm，双曲面电极表面粗糙度Ra≤0.1μm，双曲面线轮廓度≤0.4μm，离子阱综合几何精度≤5μm，质量范围50amu~4000amu，相对质量分辨率≤0.5amu;平均故障间隔时间≥5000小时。
