1.6 宽光谱高灵敏电子倍增CCD成像探测器
研究内容：开发宽光谱高灵敏电子倍增CCD成像探测器，突破高灵敏光生电荷采集结构制备关键技术，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品，实现在高灵敏度显微镜、微光探测仪、光谱分析仪等仪器中的应用。
考核指标：波长范围260nm~1000nm，像元数目≥1024×1024，像元尺寸≤13µm ×13µm，倍增增益≥1000，最高信噪比≥45dB，峰值量子效率≥80%，暗电荷≤350e/pixel/s（常温），最高输出帧频≥10fps;平均故障间隔时间≥5000小时。[pagebreak]
1.7 太赫兹混频器
研究目标：开发太赫兹混频器，突破太赫兹混频电路设计与精密制造等关键技术，采用国产混频芯片，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品，实现在太赫兹矢量网络分析仪、太赫兹频谱分析仪、太赫兹安全检测仪、太赫兹成像仪等仪器中的应用。
考核指标：2次谐波混频频率范围0.325THz~0.5THz，中频频率范围20MHz~300MHz，变频损耗≤17dB;4次谐波混频频率范围0.5THz~0.75THz，中频频率范围20MHz~300MHz，变频损耗≤30dB;4次谐波混频频率范围0.75THz~1.1THz，中频频率范围20MHz~300MHz，变频损耗≤35dB;平均故障间隔时间≥5000小时。
1.8 InGaAs探测器
研究目标：开发InGaAs探测器，突破单光子信号探测芯片设计制造关键技术，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品，实现在近红外光谱分析仪、近红外成像仪、光纤光谱分析仪等仪器中的应用。
