考核指标：光谱范围0.9μm ~1.7μm，平均光子探测效率≥20%，暗计数≤3kcps，暗电流≤0.3nA@击穿电压，时间分辨率≤2ns;平均故障间隔时间≥5000小时。
1.9 大面积低剂量X射线平板探测器
研究目标：开发大面积低剂量X射线平板探测器，突破高速帧率采集、高填充系数大面积探测、高效率低剂量探测等关键技术，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品，实现在工业检测X射线成像仪、医学X射线成像仪等仪器中的应用。
考核指标：有效探测面积≥30cm×30cm，像素尺寸≤150µm，最高帧频120fps，最低成像剂量≤5nGy，量子检测效率≥75% @20µGy，极限分辨率≥3.3Lp/mm;平均故障间隔时间≥5000小时。
1.10 高分辨耐辐照硅探测器
研究目标:开发高分辨率耐辐照硅探测器，突破离子注入与表面钝化等关键技术，开展工程化开发、应用示范与产业化推广，形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品，实现在X射线衍射仪、高能粒子谱仪和X射线成像谱仪等仪器中的应用。
考核指标：探测面积≥5cm×5cm，位置分辨率≤100μm，漏电流密度≤2nA/cm2@耗尽电压，探测器工作电压≥600V，抗辐照指标≥1×1015nep/cm2;平均故障间隔时间≥5000小时。
