晶闸管又叫可控硅，是一种在晶体管基础上发展起来的大功率半导体器件，主要并广泛应用于整流、逆变、调压及开关等方面，因此，对可控硅性能进行检测，对于电控系统的日常维护、保证正常运转具有十分重要的意义。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成，即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。
如何判别单、双向可控硅？
先任测两个极，若正、反测指针均不动（万用表选电阻R*1Ω挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。
可控硅检测方案分析
电控系统长时间运行后，电发动机会出现跳闸等故障。基于此，对可控硅性能好坏进行检测，对于系统的日常维护、保证正常运转具有十分重要的意义。
通常对电气设备的检测设备及方法有万用表、漏电仪、摇表，另外，还可以利用示波器观测导通电流以判断可控硅导通情况。在实际生产中，仅采用万用表无法判断可控硅的故障。下面对几种检测方法进行对比，以得出可控硅检测的最佳方法。
1.漏电仪检测法（耐压试验）
采用大电流发生器（简称升流器）对可控硅A、K两极之间进行漏电试验。先测试出可控硅的峰值电压，将电线正负极连接至A、K两极，接地线接至室内主接地上，逐渐升压，测试其漏电流数值。
进行漏电测试后，逐渐升压，观测漏电流，当数值超过其额定峰值电压后，可控硅被击穿，但采用此方法可能会破坏其PN结，并且只能测试其是否导通，而不能测试其导通是否良好，故不再采用此法进行测试。
2.摇表测试法
用摇表对可控硅进行测量，参照之前使用的漏电检测法。为防止摇表法测试过程中击穿或损坏可控硅，改变摇表操作方法，即要对摇表电压和转速进行控制，两笔端链接A、K极对其进行测试。若可控硅使用后电控系统运转正常则为性能正常，若系统运行几分钟后出现电机声音异常则为性能差。
3.示波器在线观测法
利用示波器在线观测可控硅触发脉冲，由于示波器在线观测波形时，产生的电磁干扰会影响到触发脉冲，极有可能造成跳车，所以，采用双通道屏蔽的手持式示波器，避免电磁干扰。
在运行过程中，将示波器的笔连接至触发电流板上某个触发极，观测其波形，当波形稳定时，对波形进行捕捉，并观察。若在加速段、减速段行车时，示波器上无波形显示；若在匀速段，可观察到触发脉冲电压、触发脉冲电流；若可控硅出现异常情况时，脉冲电压幅值降低，脉冲电流波形不稳定，出现乱波。
4.万用电表检测法
