同时安森美半导体还为客户提供高集成度功率因数控制器、DC-DC控制器、分立MOSFET、功率整流器、二极管及晶体管等完整系列的电源半导体产品。
电机驱动功能
安森美半导体为白家电变频驱动提供分立及模块式设计：
分立设计器件：安森美半导体用于MOSFET/IGBT门极驱动器NCP5104、NCP5106、NCP5111、NCP5181能工作在高达600V的输入电压，具有每纳秒50V的dv/dt抗扰度，并兼容于3.3V和5V输入逻辑，这些器件使用启动电路(bootstrap）技术来确保驱动高边功率开关，并提供强固的设计。
安森美半导体用于功率因数控制器的IGBT产品有 NGTB05N60、NGTB10N60、NGTB15N60、NGTB20N60L2、NGTB30N60，带续流二极管；用于电机驱动被动功率因数校正的IGBT产品有NGTG12N60、NGTG15N60S1、NGTG20N60L2、NGTG30N60F、NGTG50N60F，不带续流二极管。
图4. 用于功率因数控制器的IGBT 图5. 用于电机驱动功率因数校正的IGBT
安森美半导体用于电机控制的MOSFET产品具有低导通阻抗、低电容、低门极电荷等特性，能将器件导通损耗、开关损耗以及驱动器损耗降至最低，提供高抗雪崩能力及大电流通过能力。
模块式设计：安森美半导体采用IMST(绝缘金属基板技术)技术使分立无源器件(电阻、电容)、分立有源器件(二极管、晶体管）及集成电路(门驱动器、DSP、逻辑）等封装到同一智能功率模块(IPM）中。
图6. 安森美半导体专有的绝缘金属基板技术(Insulated metal Substrate Technology，IMST）示意图
