对HBLED施加的反向偏置电流可以实现反向击穿电压（VR）的测试。该测试电流的设置应当使所测得的电压值不再随着电流的轻微增加而显着上升。在更高的电压下，反向偏置电流的大幅增加所造成的反向电压的变化并不显着。VR的测试方法是，在一段特定时间内输出低反向偏置电流，然后测量HBLED两端的电压降。其结果一般为数十伏特。
对HBLED施加的反向偏置电流可以实现反向击穿电压（VR）的测试。该测试电流的设置应当使所测得的电压值不再随着电流的轻微增加而显着上升。在更高的电压下，反向偏置电流的大幅增加所造成的反向电压的变化并不显着。VR的测试方法是，在一段特定时间内输出低反向偏置电流，然后测量HBLED两端的电压降。其结果一般为数十伏特。
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