开关损耗
开关损耗指的是总体的能量损耗,由导通过程损耗、关闭过程损耗、导通损耗组成,使用下面公式计算:
开关损耗分析插件
高端示波器通常亦集成了开关损耗分析插件,由于导通状态电压测量不准确,所以导通状态的计算公式是可以修改的,主要有三种:
UI,U和I均为测量值;
I²R,I为测量值,R为导通电阻,由用户输入Rds(on);
UceI,I为测量值,Uce为用户输入的电压值,用于弥补电压电压测不准的问题。
一般建议使用I²R的公式,下图是ZDS4000 Plus的开关损耗测试图。
图4 开关损耗测试结果图
总结
开关损耗测试对于器件评估非常关键,通过专业的电源分析插件,可以快速有效的对器件的功率损耗进行评估,相对于手动分析来说,更加简单方便。对于MOSFET来说,I²R的导通损耗计算公式是最好的选择。