从图1中可知，辐射能量通过仪器的透镜、滤光片，会聚到探测器，探测器将辐射能转换成电信号，经过放大器、A/D转换器的处理，最后显示出温度值或将热分布转化为图像显示。
二、红外测温在GIS内部缺陷中的应用
1、内部热缺陷机理
GIS设备内部热缺陷的原因通常包括内部导体连接不良，如螺栓未达到力矩要求，触指弹簧压力不够等，断路器或隔离开关合闸不到位，内部绝缘件受潮、老化等。
内部热缺陷的诊断是通过分析比较设备外部温度分布场和温度的变化来实现的。热分布图的主要表现为:
（1）发热部位多位于导体对接处、断路器和隔离开关的动静触头结合处等部位。
（2）受热对流上升效应的影响，发热特征是罐体上部温度明显高于下部温度，一般水平罐体的特征是罐体顶部最热，往四周温度逐渐递减。
（3）内部热缺陷热辐射而积较大，在罐体上表现为一定区域内存在热特征图像。
针对常见的内部导电杆发热缺陷，笔者认为：一旦发现便应视为严重缺陷，尤其是罐体上部温度达到50℃，罐体温升超过40℃或罐体上下部位温差超过20℃时应列为危急缺陷。
2、实例分析
2014年8月，对某500kV变电站进行例行红外测温时，发现220 kV分段Ⅱ22F开关A相开关与CT连接母线筒壁发热，热分布图及相应部位见图2、3。
