三、红外测温在GIS外部缺陷中的应用
1、外部热缺陷机理
GIS外壳接地分两种方式：分段绝缘及全链多点接地。由于多点接地具有外部漏磁少、感应电压低等优点，其可靠性和安全性均高于一点接地方式，因此目前使用的GIS设备基本全部采用多点接地方式，但该方式下，对于三相分箱母线，受电磁感应影响，会产生较大环流，一般能达到内部导体电流值的70%-90%。一旦出现GIS外壳接地点接触不良、法兰间接触不良、三相短接排与法兰而接触不良、法兰而紧固螺栓力矩不合格等问题时，便会造成严重发热。罐体环流引起外部发热虽不直接影响GIS运行，但长期高温影响GIS绝缘件寿命，并容易使密封件过早老化，密封性能下降，引起漏气，因此罐体环流引起法兰等部位发热不应忽视，按照设备接头类红外热像诊断标准判断。
外部热缺陷热分布图主要表现为:
（1）发热多发生在外壳多点接地且三相分箱的设备中，发热部位多位于导流排连接而、法兰而固定螺栓等位置；
（2）热辐射而积小，发热部位突出，具有明显的温升现象，现场容易检测；
（3）温升与设备负荷具有明显的对应关系，即可看成近似的正比关系。
2、实例分析
（1）实例1
2014年5月，某变电站对220 kV GIS设备进行例行红外测温，发现某条线路出线气室罐体底部与支柱座连接部位有发热现象，与相邻线路的同部位的温差为20K，热分布图符合外部发热特征，其罐体外部发热图见图6。
