4）数据维持失效（DRF）：存储单元经过一段时间后无法维持自己的逻辑值的故障，这种失效一般是由上拉电阻断开引起的。
以上四种故障模型是所有存储器都可能存在的失效模型。
另外，Flash还有以下几种失效模型。
5）栅极编程干扰（GPD）和栅极擦除干扰（GED）：对一个存储单元的编程或擦除操作引起同一字线上的另外单元发生错误的编程或擦除操作。
6）漏极编程干扰（DPD）和漏极擦除干扰（DED）：对一个存储单元的编程或擦除操作引起同一位线上的另外单元发生错误的编程或擦除操作。
7）过度擦除（OE）：对存储器的过度擦除将会导致对该存储单元的下一次编程不起作用，从而无法得到正确的操作结果。
8）读干扰（RD）：对一个存储单元的读操作引起对该单元的错误编程。
以上的故障都属于阵列故障，还存在周边电路故障。
9）地址译码失效（ADF）；特定的地址无法存取对应存储单元，或多个单元同时被存取，或特定的存储单元可以被多个地址存取。
2 March C 算法：
< 基于以上列出的Flash 存储器的故障模型，需要选择覆盖率高，效率高的测试算法对其进行测试验证。
本次研究采用March C算法来实现。其表示为：
{↓↑（w0）;↑(r0,w1,);↑(r1,w0);
↓(r0,w1); ↓(r1,w0); ↓↑(w0)}
其中，符号意义如下：
