1.3 耦合器的结构
针对我国LTE移动通信有TD-LTE和FDD-LTE两种制式并具有1.8 GHz、2.3 GHz、2.6 GHz等多个频段的特点，所设计的耦合器得覆盖1.75 GHz~2.7 GHz频段。根据参考文献的分析，采用厚度h=0.8 mm的FR4介质作为基片。耦合器结构如图5，其尺寸为L×W=28.7 mm×104.3 mm。其各部件的具体尺寸如表1。
为了增加匹配网络中微带线的宽度以便利于加工，在耦合器的接地面加入5个串联的“哑铃型”缺陷地结构（DGS），如图3所示，其中灰色部分为金属覆盖面，空白处为刻蚀处，图4所示为耦合器正面示意图。参考文献中对“哑铃型”缺陷地给出了详细的理论分析，通过刻蚀缺陷图案，可以改变电路衬底材料有效介电常数的分布，从而改变微带线的分布电感和分布电容，使得由DGS构成的微带线具有带阻特性和慢波特性。通过优化，最终DGS的宽度为2.5 mm，总长度为35 mm。
1.3 耦合器的结构
针对我国LTE移动通信有TD-LTE和FDD-LTE两种制式并具有1.8 GHz、2.3 GHz、2.6 GHz等多个频段的特点，所设计的耦合器得覆盖1.75 GHz~2.7 GHz频段。根据参考文献的分析，采用厚度h=0.8 mm的FR4介质作为基片。耦合器结构如图5，其尺寸为L×W=28.7 mm×104.3 mm。其各部件的具体尺寸如表1。
1.3 耦合器的结构
针对我国LTE移动通信有TD-LTE和FDD-LTE两种制式并具有1.8 GHz、2.3 GHz、2.6 GHz等多个频段的特点，所设计的耦合器得覆盖1.75 GHz~2.7 GHz频段。根据参考文献的分析，采用厚度h=0.8 mm的FR4介质作为基片。耦合器结构如图5，其尺寸为L×W=28.7 mm×104.3 mm。其各部件的具体尺寸如表1。
