在2021年第四季度财报会上，意法半导体表示，目前公司积压的订单能见度为18个月左右，远高于ST目前及已经规划的2022年产能。而且今年的车用芯片产能已经销售一空。今年意法半导体的资本支出计划将达到约34亿至36亿美元，较2021年的18亿元投资增加近一倍，主要用于进一步提高产能，其中包括在意大利Agrate 12英寸新晶圆厂建设第一条生产线。
2021年7月，意法半导体宣布，其瑞典北雪平工厂制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圆片，这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。据意法半导体所称，与 150mm晶圆相比，200mm晶圆可增加产能，将制造集成电路可用面积几乎扩大1 倍，合格芯片产量是150mm晶圆的1.8 -1.9倍。
恩智浦封测厂投产
2021年9月，恩智浦半导体（天津）集成电路测试中心一期改造项目竣工投产，该中心主要进行封装测试。该封测公司是2015年恩智浦从飞思卡尔手中收购得来，经过多年的发展，其封装测试工厂生产能力已接近饱和，没有足够的生产空间来进一步引进新的生产设备，形成工厂的产能规模，承接未来新产品的生产。
除此之外，去年中旬，据国外媒体报道，芯片代工厂商联华电子宣布将于全球多家客户携手，扩充12A厂产能，参与的客户将以议定价格预先支付订金，确保获得扩充后的长期产能。其中，恩智浦已同联华电子达成6年芯片代工协议。
安森美发力新策略
去年，安森美改名，确立了公司的新战略：智能电源和智能感知。由传统IDM模式向更加灵活的Fab-Liter模式转型，将采取更加灵活的制造路线和策略，未来会退出规模不足的晶圆厂、聚焦300mm晶圆产能，并将提高通用封装后端厂的灵活性。
2021年Q2的财报显示，安森美营收的6%用作了资本投入。安森美表示，未来两年将加大投资力度，由6%增加到12%，主要用于扩产300mm晶圆厂的产能，再一个是加强SiC供应链环节，包括基板沉底等最终产品，以及封装。而在2021年第四季度财报电话会议上，安森美表示，计划到2022年将其基板业务产能增加四倍以上，并打算进行大量投资以扩大其设备和模块产能。到2022年，安森美预计其碳化硅收入将同比增长一倍以上。
此外，去年8月，安森美宣布以4.15亿美元现金收购SiC生产商GT Advanced Technologies，并计划投资扩大GTAT的研发工作，以推进150mm和200mm SiC晶体生长技术。
Microchip 4000万美元升级工厂
2022年1月，Microchip宣布计划斥资4000万美元用新技术改造其科罗拉多斯普林斯半导体工厂，这将在未来六个月内增加50至75 名员工，它将为工厂购置安装新设备，由原本6英寸晶圆转向8英寸晶圆的生产，这将使其可以生产的芯片数量几乎翻倍。公司计划在未来六个月内继续招聘超过 50-75人，并在未来两到五年内进行另一阶段的扩张。
瑞萨车载MCU产能提高50%
瑞萨是世界车规级半导体龙头，在车用MCU领域掌握全球两成份额。2021年9月29日，瑞萨电子在经营说明会上透露，计划到2023年将车载MCU产能提高50%以上（较2021年），同时将提高设备投资金额，预计到2021年将超过800亿日元，到2022年将在600亿日元左右，该公司目前的设备投资金额约200亿日元。
东芝投入5700亿日元
2022年2月8日，东芝召开了关于两家公司分拆后可能的经营战略的简报会。会议中指出，为了应对全球半导体供应短缺和存储需求扩大的措施，将促进产能扩大和稳定采购网络的建设，东芝将在5年内投入5700亿日元进行资本投资和研发。
产能方面，2021年至2025年将投资约2600亿日元。主要投资包括功率半导体用200mm线的扩建、2022 年2月4日宣布的日本石川县新建300mm线的建设、现有建筑物的运营推进、化合物半导体用200mm线的开发计划。此外，东芝还计划在菲律宾基地增加近线硬盘的产量，在中国建立硬盘基地，并扩大其横滨工厂的半导体制造设备制造空间。
在构建稳定的采购网络方面，东芝强调，半导体80%的材料都签订了长期合同，多方采购比例提高到70%以上。
到2025年，研发费用计划约为3100亿日元。主要在半导体、HDD和半导体制造设备三大业务上加大研发。
在半导体领域，东芝的整个半导体业务目标是将销售额从预计在 2021年的3200亿日元增加到 2025年的3700 亿日元。东芝计划专注于车载和工业应用的功率半导体，在重点关注的功率 MOSFET方面，东芝计划到2025年从第四的全球份额升到第三。
其中，仅功率半导体的研发，计划在五年内投资1000亿日元，用来扩大硅功率半导体产品阵容、开发高效封装、加速开发SiC和GaN产品等。公司目前主打的硅功率MOSFET是第8代，第9代导通电阻降低15%，第10代比8代降低了30%，正在开发第11代，比第8代导通电阻降低了40%，并且将在2023 年之前将硅功率 MOSFET产品数量翻一番。公司车载硅IGBT目前正在量产耐压750V和1.2kV的产品，为了提高逆变器特性，2022年开始量产集成二极管和IGBT的新产品。第二代二极管集成产品将在300mm线上生产，2026年开始量产。
