清华大学最近申请了一项名为“传感器及其制备方法和应用”的专利，专利公开号为CN202410525818.9，申请日期为2024年4月。这项专利涉及一种新型传感器，可以测量微纳尺寸的功能氧化物薄膜的多种物理性能。这些功能氧化物薄膜在智能电子器件领域具有广泛的应用潜力，包括传感器、驱动器、表面声波器件、存储器和柔性电子器件等。
专利的核心在于提出了一种能够消除基底对功能氧化物薄膜全物性集成化测量影响的传感器。这种传感器包括衬底、位于衬底上的金属层和纳米线电极。通过特定的结构设计，传感器可以准确地测量功能氧化物薄膜的多种物理性能，如热导率、电导率、塞贝克系数、载流子浓度、载流子迁移速率等，从而解决了由于基底对样品的影响造成样品本征物性测量不准确的问题。
此外，专利还提出了一种制备上述传感器的方法，包括在硅片上形成氮化硅薄膜、刻蚀硅片形成硅层、在氮化硅薄膜上形成金属层等步骤。通过这种方法制备的传感器能够有效地用于测量功能氧化物薄膜的多种物理性能，有助于推动智能电子器件的研究和应用。
这一发明的意义在于，它为微纳尺寸功能氧化物薄膜的物性测量提供了一种新的、更准确的方法，对于促进功能氧化物薄膜在智能电子器件领域的应用具有重要意义。
