10 氮化镓、碳化硅雷达投入服役。
2015年7月14日，加拿大国家研究委员会下属一家圆晶加工厂已成功开发出高性能氮化镓(GaN)半导体加工工艺；7月16日，全球单晶碳化硅(SiC)基底的领先制造商——II‐VI先进材料公司展示了在美国空军研究实验室(AFRL)数年的资助下取得的全球首个直径200mm的SiC晶片；10月28日，GE航空公司宣布投资2亿美元在亚拉巴马州的亨茨维尔(Huntsville)建设两个生产碳化硅(SiC)材料的工厂；8月26日，美国海军陆战队授予诺格公司一项总额为920万美元合同，在面向地/空任务(G/ATOR)雷达项目中引入氮化镓器件；10月13日，雷神公司用GaN有源相控阵(AESA)替换“爱国者”雷达的主天线，完成了一系列里程碑节点，即将进入生产准备阶段，这包括AESA主阵列结构制造、AESA阵列雷达机箱制造、机箱内集成接收机和雷达数字处理器、机箱于雷神公司试验室进行测试以及完成雷达冷却系统的测试。
