图4 WAT data chart
CP（Circuit Probing）也叫“Wafer Probe”或者“Die Sort”，是对整片Wafer的每个Die的基本器件参数进行测试，例如Vt（阈值电压），Rdson（导通电阻），BVdss（源漏击穿电压），Igss（栅源漏电流），Idss（漏源漏电流）等，把坏的Die挑出来，会用墨点（Ink）标记，可以减少封装和测试的成本，CP pass才会封装，一般测试机台的电压和功率不高，CP是对Wafer的Die进行测试，检查Fab厂制造的工艺水平。
图5 黑点为ink
图6 CP Bin Map示意图
CP测试程序和测试方法优化是Test Engineer努力的方向，下面介绍几种降低CP测试成本的方法。
1.同一个Probe Card可以同时测多个Die，如何排列可以减少测试时间？假设Probe Card可以同时测6个Die，那么是2×3排列还是3×2，或者1×6，都会对扎针次数产生影响，不同的走针方向，也会产生Test时间问题。
图7 不同走向示意图
2.随着晶圆尺寸越来越大，晶圆上的Die越来越多，很多公司CP Test会采用抽样检查（Sampling Test）的方式来减少测试时间，至于如何抽样，涉及不同的Test Recipe，一些大数据实时监控软件可以在测试的同时按照一定算法控制走针方向，例如抽测到一个Die失效后，Probe Card会自动围绕这个Die周围一圈测试，直到测试没有问题，再进行下一个Die的抽测，这种方法可以明显缩短测试时间。
图8 full map 与 sample test示意图
FT（final test）是对封装好的Chip进行Device应用方面的测试，把坏的chip挑出来，FT pass后还会进行process qual和product qual，FT是对package进行测试，检查封装造厂的工艺水平。FT的良率一般都不错，但由于FT测试比CP包含更多的项目，也会遇到Low Yield问题，而且这种情况比较复杂，一般很难找到root cause。广义上的FT也称为ATE（Automatic Test Equipment），一般情况下，ATE通过后可以出货给客户，但对于要求比较高的公司或产品，FT测试通过之后，还有SLT（System Level Test）测试，也称为Bench Test。SLT测试比ATE测试更严格，一般是Function的Test，测试具体模块的功能是否正常，当然SLT更耗时间，一般采取抽样的方式测试。
图9 FT tester 示意图
小结一下，WAT是在晶圆制造过程中进行的测试，通过对Die与Die之间Scribe Line的Test Key电学性能的测试，来监控Fab制程的稳定性；CP测试是制造完成后，封测之前进行的电学测试，把坏的Die标记出来，减少封装的成本；FT是Die切割，打磨，封装后进行器件功能性的测试，可以评价封测厂的封装水平，只有所有的测试都通过后，才可以应用到产品上。
