褚君浩，中国科学院院士，中科智库首批入库专家兼审核委员会委员，半导体物理和器件专家，中国科学院上海技术物理研究所研究员，东华大学理学院院长。
长期从事红外光电子材料和器件的研究，在窄禁带半导体物理和铁电薄膜材料器件物理等方面做了系统的有国际影响的研究结果。近年来主要从事新材料新结构高性能新型光电子材料和器件研究。发现窄禁带半导体碲镉汞带间光跃迁本征吸收光谱，发展了碲镉汞能带结构理论和光跃迁理论；提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式，被国际上称为CXT公式，广泛引用并认为与实验结果最符合；解决了碲镉汞薄膜材料和焦平面列阵器件研制中涉及的有关重要基础问题。开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究，研制成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。
曾经获得国家自然科学奖、中国科学院自然科学奖、中国科学院科技进步奖、上海市科技进步等奖。先后获国家重点实验室计划先进个人奖、国家973计划先进个人奖，是国家自然科学基金创新研究群体学术带头人。发表学术论文600余篇，中英文专著三部，编著10部，专利70余项。
