近年来,受全球经济形势的变化以及半导体产业周期的影响,半导体产品整体需求呈下降趋势,尤其是消费电子等传统领域,但与此同时,在我国国家政策的引导下,新能源等领域需求仍维持高速增长,以功率半导体为首的相关领域国产替代进程明显加快。
目前,我国在低端功率半导体领域已实现较高国产化率,例如在硅器件的低压SGT、高压超结器件、IGBT及IGBT模块等的技术、产品以及产能方面均取得了突破性进展。在SiC领域SBD达到国际先进水平,另外平面MOSFET也取得一定突破并进入量产阶段,但在IGBT的高端应用和沟槽SiC MOSFET等领域技术实力仍有不足。考虑到功率半导体与其他半导体品类相比迭代周期较慢,这或将为我国厂商带来难得的发展窗口期。