Conrad和同事们通过外延生长生成半导体石墨烯的方法并不是全新的。在2006年，加州大学伯克利分校(the University of California in Berkeley)一个由Alessandra Lanzara领导的团队研究了在碳化硅上外延生长的第二层石墨烯，并报道了其0.26eV的带隙。Conrad说他们团队的工作的主要区别在于生长技术的改进。“事实证明，要得到这个带隙，结晶顺序是非常重要的，而他们并不知道。”他解释说。
当Conrad和同事们尝试在仅仅低于他们常用温度20℃的温度下制造石墨烯，带隙就不存在了。Conrad用硅电子学发展初期来比喻这样的进展，“如果你回到20世纪60年代硅晶体管的初期，关键在于寻找不可思议的高度有序的晶体。”他说。在这个阶段，碳化硅晶片的高昂价格并不重要，他补充道。“第一个出售的硅晶体管售价为1500美元。重点是，你要先造出设备，然后才考虑费用。”
Conrad宣称，乔治亚理工学院的同事已经使用了他的半导体石墨烯来制造晶体管，开关电流比可以达到100万比1——这是正规电子产品要求的十倍。“所以，它开始变得能用了。”他说。
