第三代半导体材料碳化硅具有禁带宽度大、临界击穿电场强度高、电子饱和迁移速率大、电子密度高、热导率高、介电常数低，具备高频高效、耐高压、耐高温，以及抗辐射能力强等诸多优越性能，因而能制备出在高温下运行稳定，在高电压、高频率等极端环境下更为稳定的半导体器件，是支撑固态光源、功率半导体、微波射频器件的“核芯”材料和电子元器件，可以起到减小体积简化系统，提升功率密度的作用。
现阶段，国内仍未建立专门针对碳化硅功率半导体器件的试验标准和评价方法，碳化硅功率半导体器件的驱动技术和保护技术仍需加强。因此，国内中游厂商为提高碳化硅器件栅级工作寿命和稳定性，迫切需要对碳化硅功率半导体器件进行多种测试，提高碳化硅功率半导体器件的使用寿命和稳定性。
航裕电源运用十余年专业电源研发制造技术，服务于国家科创兴国战略，为功率半导体技术发展竭尽全力，推出多款碳化硅半导体器件测试专用电源，推动碳化硅、氮化镓等半导体器件制造工艺的提升与发展，助力功率半导体科创事业腾飞。
1、 静态特性测试
碳化硅功率半导体器件的栅极氧化层面临着更高的电场强度。由于制造工艺导致碳化硅功率半导体器件界面态密度高出了近2~3个数量级，由此引起的栅极阈值电压不稳定性严重影响了碳化硅的可靠性。
■ 耐压测试
耐压测试是最常见的静态测试。它包括施加一个预设好的电压，输出电压作用于被测物，并持续一段时间，电压值和持续时间长短视具体应用工况而定。
该测试可采用以下电源
HY-HV系列可编程高压直流电源
*高压小电流电源，电压耐久性测试专用
■ 输出电压型号有2kV、3kV、4kV、5kV、6kV、8kV、10kV、15kV、20kV······50kV等
■ 高功率密度：单机最大150kW
■ 工作模式：恒压CV、恒流CC，CV/CC优先可设
■ 支持前面板编程，无须上位机软件控制
■ 上升和下降斜率可调（电压/电流）
■ 电源输出软启动功能
■ 16 bits D/A 高精度转换器，输出精确
■ 20 bits A/D 高精度转换器，回读更准
■ 高压击穿测试
碳化硅禁带宽度为硅的3倍左右，意味着需要更大的能量来激发电子导电，要求很高的击穿电场强度。
航裕电源HY-HVL系列线性可编程高压直流电源，输出电压型号有1.25kV、2.5kV、5kV、10kV、15kV、20kV、30kV、40kV、50kV等多种范围可选，满足多元化高压器件击穿测试需求，具有高精度，低干扰，低纹波等优势，适合高精密测试与测量，可进行高压器件击穿测试、高压组件测试、高压电阻率测试、绝缘耐压测试、二极管反偏测试等。
该测试可采用以下电源
HY-HVL系列线性可编程高压直流电源
*满足高压、高精度的测试需求
■ 输出电压型号有1.25kV、2.5kV、5kV、10kV、15kV、20kV、30kV、40kV、50kV等
■ 输出电流范围：500μA-50mA
■ 工作模式：恒压CV、恒流CC，CV/CC优先可设
■ 超低干扰、超低纹波，适合高精密测试与测量
■ 支持前面板编程，无须上位机软件控制
■ 上升和下降斜率可调（电压/电流）
