近年来，航裕电源一直十分关注功率半导体器件的测试需求，并带来多款高性能的可编程高压直流电源，为功率半导体器件测试提供高稳精准的测试供电。近期，航裕电源与青铜剑技术携手合作，带来功率器件动态参数测试系统解决方案。
功率器件动态特性高效测试系统
青铜剑技术是中国功率器件驱动行业的开拓者，公司获批广东省大功率电力电子核心器件与高端装备工程技术研究中心，完成了多项国家、省、市科技计划项目，成功研发中国首款大功率IGBT驱动ASIC芯片，推出IGBT标准驱动核、即插即用型驱动器、成套驱动方案、驱动电源、隔离驱动IC、驱动芯片组、功率器件动态参数测试系统等。
为了适应碳化硅材料耐高压的特性，青铜剑技术选择采用航裕电源HY-HV系列可编程高压直流电源为其QTJT-D 系列功率器件动态参数测试系统进行测试供电，高压范围2kV、5kV、10kV、20kV...200kV 可选，全面覆盖SiC器件测试需求。
QTJT-D 系列 测试范围：
■ IGBT/SiC器件的单管、模块、IPM/功率模组的动态参数测试
QTJT-D 系列 可测试参数：
■测试电压：10~1700V/10~6500V
■测试电流(峰值)：20~6000A(10000A,10μs)
■杂散电感<10nH(需特殊定制,仅测试工装杂感)
■门极电阻：手动调整0~100Ω(可选配自动调整)
■门极电压调节范围负压:-15V-0V,正压:0V~+25V
■门极电压精度：±0.1V
■脉冲信号形式：单/双脉冲、多脉冲
■脉冲信号宽度：0.1μs~1000μs,分辨率0.02μs,精度±0.1μs
■负载电感:10μH/50μH.../1000μH,8档自动可调，精度±5μH;可选配置
■远程通讯:LAN/USB
■温控装置:温度控制范围:常温~200℃,精度±2℃;可选配低温测试、温度范围等
■安全防护:过流过压保护，防触电漏电保护，高压互锁，快速放电，三色警示灯，急停等
干货分享：SIC器件动态测试
功率器件中的碳化硅器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点，被广泛应用在电动汽车、风能发电、光伏发电等新能源领域。近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。
目前常用的碳化硅功率半导体器件开通关断速度都较快，这对栅极可靠性提出了更高的要求。但是由于碳化硅材料的物理特性，导致栅级结构中的栅氧层缺陷数量较多，致使碳化硅器件栅极早期失效率相比硅器件较高，限制了其商业化发展。为提高碳化硅mosfet器件栅级工作寿命，需要对碳化硅功率半导体器件进行基于栅极的测试，在将碳化硅功率半导体器件寿命较低的器件筛选出来，提高碳化硅功率半导体器件的使用寿命。
SiC功率器件的电学性能测试主要包括静态、动态、可靠性、极限能力测试等，其中，动态测试主要是测试 SiC 器件在开通关断过程中的性能。
通常我们希望的功率半导体器件的开关速度尽可能得高、开关过程损耗小。但是在实际应用中，影响开关特性的参数有很多，如续流二极管的反向恢复参数，栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容、栅极电荷的存在，所以针对于此类参数的测试，变得尤为重要。开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性。直接影响变换器的性能。因此准确的测量功率半导体器件的开关性能具有极其重要的意义。
航裕电源与青铜剑
航裕电源自2011年成立以来，不断打磨电源研发制造技术，深入了解客户需求,拥有丰富的功率器件测试服务经验。青铜剑技术深耕功率器件驱动领域十余年，推出的功率器件动态参数测试系统受到客户的广泛认可和肯定。此次双方强强联合，充分发挥各自的优势，实现资源共享和互补，将为广大用户带来更加优质、便捷的电源测试产品和服务，共同开创电力电子领域的新篇章。
